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NP50P04SLG-E1-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP50P04SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=9.6mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) ⎯RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−25A) •Lowinputcapacitance

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NP50P04SLG-E1-AY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP50P04SLG-E1-AY

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2025-8-4 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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