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NP50P04SLG-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP50P04SLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Super low on-state resistance ⎯ RDS(on)1 = 9.6 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A) ⎯ RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −25 A) • Low input capacitance

RENESAS

瑞萨

NP50P04SLG-E1-AY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP50P04SLG-E1-AY

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2025-9-28 9:29:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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