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NP50P04KDG-E2-AYNote

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

文件:291.46 Kbytes Page:9 Pages

RENESAS

瑞萨

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP50P04KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 10 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A) RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −25 A) • Low input capacitance Ci

NEC

瑞萨

更新时间:2025-11-26 11:20:00
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