位置:首页 > IC中文资料第11705页 > NP40N10VDF
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NP40N10VDF | iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=26mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ||
NP40N10VDF | 100V??40A??N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive 文件:162.8 Kbytes Page:11 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | ||
NP40N10VDF | N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology 文件:862.07 Kbytes Page:4 Pages | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | ||
NP40N10VDF | ProductScoutAutomotive 文件:5.67799 Mbytes Page:6 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=25mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10YDF) ⎯RDS(on)=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10VDF) ⎯RDS(on | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | |||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=25mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10YDF) ⎯RDS(on)=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A)(NP40N10VDF) ⎯RDS(on | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | |||
包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANSISTOR 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | |||
100V??40A??N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive 文件:162.8 Kbytes Page:11 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | |||
100V??40A??N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive 文件:162.8 Kbytes Page:11 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | |||
包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANSISTOR 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | |||
40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability | CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司 | |||
FastSwitching FEATURES •DrainCurrentID=40A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.04Ω(Max) •FastSwitching APPLICATIONS •Switchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | |||
40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability | CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司 | |||
40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability | CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司 | |||
N-Channel100-V(D-S)MOSFET 文件:983.6 Kbytes Page:8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 |
NP40N10VDF产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP40N10VDF
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
100 V a?? 40 A a?? N-channel Power MOS FET
- Application
Automotive
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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R |
2020+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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RENESAS |
21+ |
TO252 |
10026 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-252 |
12500 |
瑞萨全系列在售,终端可出样品 |
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VBsemi/台湾微碧 |
21+ |
TO-252 |
5011 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-252 |
6000 |
原装正品,支持实单 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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NEC |
TO-252 |
503103 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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NEC-日本电气 |
24+25+/26+27+ |
TO-252-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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VBsemi/台湾微碧 |
TO-252 |
399000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
NP40N10VDF规格书下载地址
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