型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
RFP40N10

40A,100V,0.040Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
RFP40N10

40A,100V,0.040Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
RFP40N10

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

文件:947.28 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

40A,100V,0.040Ohm,LogicLevelN-ChannelPowerMOSFETs

文件:413.06 Kbytes Page:8 Pages

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

文件:949.24 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET

FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability

CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD

重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司

CHONGQING

FastSwitching

FEATURES •DrainCurrentID=40A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.04Ω(Max) •FastSwitching APPLICATIONS •Switchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET

FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability

CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD

重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司

CHONGQING

40Amps,100VoltsN-CHANNELMOSFET

FEATURE ●40A,100V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V/20A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability

CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD

重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司

CHONGQING

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

文件:983.6 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

RFP40N10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RFP40N10

  • 功能描述

    MOSFET TO-220AB N-Ch Power

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-22 9:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
英特希尔
2022
TO220
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
FAIRCHILD
01+27
300
公司优势库存 热卖中!
HARRIS
22+
TO-220
28600
只做原装正品现货假一赔十一级代理
HARRIS
23+
TO-220
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
HARRIS
2023+
TO-220
5800
进口原装,现货热卖
英特希尔
23+
NA/
11450
原厂直销,现货供应,账期支持!
onsemi(安森美)
23+
TO-220
7793
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
INTERSIL/FSC
23+
TO-220
28610
HARRIS
2020+
TO-220
350000
100%进口原装正品公司现货库存
FAIRCHILD
ROHS+Original
NA
19880
专业电子元器件供应链/QQ 350053121 /正纳电子

RFP40N10芯片相关品牌

  • API
  • APITECH
  • BOARDCOM
  • crydom
  • Hitachi
  • IDT
  • LUGUANG
  • MOLEX4
  • NEC
  • POWEREX
  • SILABS
  • SUPERWORLD

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