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NP40N055MLE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=28mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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NP40N055MLE

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=28mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=

NECRenesas Electronics America

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) •Lowinputcapacitance Ciss=1070pFT

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) •Lowinputcapacitance Ciss=1070pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=28mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=

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NP40N055MLE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP40N055MLE

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

更新时间:2024-5-27 18:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
南麟
23+
TO-252
150000
一级代理全新原装现货免费试样质量保证提供技术支持
RENESAS/瑞萨
22+
TO-220
12500
瑞萨全系列在售,终端可出样品
VB
T0-220
68900
原包原标签100%进口原装常备现货!
RENESAS/瑞萨
23+
NA/
100
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
日本NEC
TO-262
33000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
RENESAS/瑞萨
23+
TO-220
89630
当天发货全新原装现货
NEC-日本电气
24+25+/26+27+
TO-220-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
NEC
23+
TO-220
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
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23+
T0-TO-220
37650
全新原装真实库存含13点增值税票!
RENESAS/瑞萨
23+
SOT252
8000
只做原装现货

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