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NP36P04KDG-E2-AY	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP36P04KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 17.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 23.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A) • Low input capacitance	NEC 瑞萨	NEC
NP36P04KDG-E2-AYNote	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：299.6 Kbytes Page：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更新时间：2026-7-29 18:05:00

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2026-6-29
NOVATEK
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2022-4-14
NP16N06QLK-E1-AY 瑞智芯只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号： NP16N06QLK-E1-AY 类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列制造商 Renesas Electronics America Inc 封装：8-PowerL
2021-9-4
NP90N04NUK-S18-AY 瑞智芯只有原装
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2021-9-3
NPA1006假一罚十
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2020-7-16
NPA-730B-005D
板机接口压力传感器
2019-9-10