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NP28N10SDE-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP28N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance RDS(on)1 = 52 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 14 A) RDS(on)2 = 59 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 14 A) • Low Ciss: Ciss = 2200 pF TYP. (VDS = 2

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-8-17 23:01:00
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