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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP20P06YLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features  Low on-state resistance RDS(on) = 47 m MAX. (VGS = –10 V, ID = –10 A) RDS(on) = 64 m MAX. (VGS = –5 V, ID = –10 A) RDS(on) = 70 m MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –10 A

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更新时间:2026-2-16 16:12:01
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