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NP110N04PUJ-E2B-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP110N04PUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 1.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A) • Low input capacitance Ciss = 9500 pF TYP. • Designed for automotive applicati

RENESAS

瑞萨

NP110N04PUJ-E2B-AY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP110N04PUJ-E2B-AY

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2025-8-16 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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