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NP100P06PLG-E2-AYNote

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET

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RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP100P06PLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=7.8mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
更新时间:2024-6-21 15:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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