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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NP100P06PLG-E1-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP100P06PLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −50 A) RDS(on)2 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −50 A) • High current rating: ID | NEC 瑞萨 |   | |
NP100P06PLG-E1-AY | -60V – -100A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive Description This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance : RDS(on) = 6.0 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -50 A ) RDS(on) = 7.8 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -50 A ) Low input capacitance : Ciss = | RENESAS 瑞萨 | | |
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：299.08 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
NP100P06PLG-E1-AY产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP100P06PLG-E1-AY
- 功能描述
MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
9633 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
N/A |
24+ |
NA/ |
92 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
原厂封装 |
32078 |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
|||
Renesas |
21+ |
- |
1220 |
只做原装鄙视假货15118075546 |
|||
ALLEN-BRADLEY |
新 |
93 |
全新原装 货期两周 |
||||
RD |
24+ |
DIP |
20 |
||||
NUTECH(诺泰) |
2021+ |
SO-8 |
499 |
||||
NATLINEAR/南麟 |
24+ |
PDFN5*6-8L-A |
30000 |
专营NATLINEAR南麟原装保障 |
|||
CCSEMI/芯能圆 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
Renesas(瑞萨) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
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2020-8-4NPA1006假一罚十
只做原装正品，欢迎咨询。
2020-7-16
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