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NP100P06PDG-E1-AY	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP100P06PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −50 A) RDS(on)2 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −50 A) • High current rating: ID(	NEC 瑞萨	NEC
NP100P06PDG-E1-AY	-60V – -100A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive Description This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features  Super low on-state resistance : RDS(on) = 6.0 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -50 A ) RDS(on) = 7.8 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -50 A )  Low input capacitance : Ciss =	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP100P06PDG-E1-AYNote	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：300.42 Kbytes Page：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更新时间：2025-11-27 23:00:02

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2022-4-14
NP16N06QLK-E1-AY 瑞智芯只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号： NP16N06QLK-E1-AY 类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列制造商 Renesas Electronics America Inc 封装：8-PowerL
2021-9-4
NP90N04NUK-S18-AY 瑞智芯只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：NP90N04NUK-S18-AY 类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个制造商 Renesas Electronics America Inc 包装：50 封装
2021-9-3
NOSE687M002R0060 深圳市得捷芯城电子科技 AVX KEMET 尼康三洋钽电容代理商
NOSE687M002R0060 深圳市得捷芯城电子科技 AVX KEMET 尼康三洋钽电容代理商
2020-8-24
NOSC107M006R0150 深圳市得捷芯城电子科技 AVX KEMET 尼康三洋钽电容代理商
NOSC107M006R0150 深圳市得捷芯城电子科技 AVX KEMET 尼康三洋钽电容代理商
2020-8-4
NPA1006假一罚十
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2020-7-16