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NP100P04PDG-E2-AYNote

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

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RENESAS

瑞萨

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP100P04PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 3.5 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −50 A) RDS(on)2 = 5.1 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −50 A) • High current rating: ID

NEC

瑞萨

更新时间:2025-11-20 23:00:00
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