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NP100N055PUK_V01

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features  Super low on-state resistance RDS(on) = 3.25 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A)  Low Ciss: Ciss = 4900 pF TYP. (VDS = 25 V)  Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-2-2 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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