| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PHENOLIC INSTRUMENT CASES [KEYSTONE] PHENOLIC INSTRUMENT CASES •Choice of Sizes •Sturdy construction •Flush mounting panels •Cases and panels are sold separately •Covers available in Phenolic or Aluminum •Covers can be machined to accept dials, switches, displays •Panel mounting screws available | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 |   | ||
702/703 Flanged Diaphragm Seal FEATURES Large diaphragm provides ample displacement for low pressure applications | ASHCROFT 雅斯科 | | ||
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Toggle switches 文件：506.4 Kbytes Page：3 Pages | APEX-ELECTRONICS | | ||
Capacity (20-hour) 280Ah 文件：258.29 Kbytes Page：1 Pages | GSYUASABATTERY | |
| 替换型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Linear Integrated Circuit RF−IF Amplifier | NTE | NTE | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TE/泰科 |
2508+ |
/ |
273494 |
一级代理，原装现货 |
|||
IML |
1922+ |
QFP |
7823 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
|||
TYCO |
24+ |
1069 |
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- |
23+ |
SMD |
3335 |
原装正品--可开增值税发票量大可订货 |
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Amphenol/SVMicrowave |
24+ |
DIP |
17900 |
射频电缆组件VITA12inFMLSMPMtoMLSTRSMA.047Flex |
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TDK/东电化 |
2019+ |
7032 |
1000000 |
原装现货 |
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Renesas |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
||||
CCI |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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POWER ONE |
25+ |
全新-电源模块 |
10238 |
POWER ONE电源模块703S9WSR交期短价格好#即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
|||
Curtis |
22+ |
1200 |
原装现货 支持实单 |
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2020-9-26NJC-165-RM原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
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2019-12-25NIS5101-智能热插拔IC/浪涌限制器/断路器
在SMART热插拔集成电路相结合的控制到单个IC的功能和节省设计时间和功率FET减少了一个完整的热插拔所需的元件数量应用程序。它被设计为允许安全地插入和去除- 48V背板的电子设备。该芯片的功能结合的综合解决方案，使用简便，。智能热插拔包括用户可选择的欠压和过压闭锁水平。它还具有调节电流限制，可以减少从用单个电阻的最高水平。最大电流水平的操作不需要额外的外部组件。内部温度关断电路，大大增加此设备的可靠性。 特点 •集成的电源设备 •100 V操作 •热限制保护 •可调电流限
2013-1-3NIS3001-集成驱动器和MOSFET的同步降压控制器的电源芯片
NIS3001是一个集成的高功率多芯片解决方案DC到DC同步降压转换器。它包含两间电力是由内部驱动器控制的MOSFET。所有这三种芯片在电源QFN包PInPAKE包装。的10.510.5毫米PInPAK]包增加功率密度，并简化PCB布局。该设备可用于单相或多相应用。NIS3001实现最新的MOSFET技术。 控制MOSFET的设计提供更好的开关相比，性能和低得多的温度经营分立式解决方案。同步MOSFET设计，以减少在高频率的传导和开关损失。集成解决方案大大降低了寄生电感与传统的分立式降压转换器和结果中的最高功率转换效率。优化的基础上MOSFET的功率密度的NIS3001芯片尺寸和PInPAK设
2012-11-12
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