MOSFET 驱动器 60 V，3.3 A 130 mΩ 双 N 沟道，带诊断输出

NIMD6001N 是一款双 3 A 低压侧开关，带集成式共禁用输入和漏极诊断输出。 将禁用引脚拉至低电平将超越应用的任何门极电压，并关断两个 FET 开关。 如果漏极-源极电压超过大约 50V，则逻辑 1 在诊断/反馈引脚上有效。 内部隔离二极管允许多个器件的禁用和诊断/反馈引脚在有线 OR 配置中进行互联，而无需额外部件。 • 110m Maximum RDSON at VGS=10V\n• Avalanche Energy Specified\n• Gate Drive Disable Input\n• Drain-Source Voltage Diagnostic Feedback Output \n• Electrically Isolated Drains\n• Internal Resistors Limit Peak Transient Gate Current\n• AEC-Q101 Qualified;

Dual N-Channel Driver with Diagnostic Output 60 V, 3 A, 110 m

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Dual N-Channel MOSFET Driver with Diagnostic Output

NIMD6001N is a dual 3 Amp low side switch with an integrated common disable input and drain diagnostic output.Pulling the Disable pin low will override any applied gate voltages and turn off both FET switches.Should either Drain-Source voltage exceed approximately 50V, a logic 1will be asserted on t • 110m Maximum RDSON at VGS=10V\n• Avalanche Energy Specified\n• Gate Drive Disable Input\n• Drain-Source Voltage Diagnostic Feedback Output \n• Electrically Isolated Drains\n• Internal Resistors Limit Peak Transient Gate Current\n• AEC-Q101 Qualified;

Dual N-Channel Driver

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Dual N-Channel Driver

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封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 8SOIC 集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器

Dual N-Channel Driver

Dual N-Channel Driver

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Dual N-Channel Driver

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Dual N-Channel Driver with Diagnostic Output 60 V, 3 A, 110 m

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Ultra Ultra-Low Input Current Amplifier

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Ultra Ultra-Low Input Current Amplifier

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Ultra Ultra-Low Input Current Amplifier

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Ultra Ultra-Low Input Current Amplifier

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Ultra Ultra-Low Input Current Amplifier

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