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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NIMD6001A | Dual N-Channel MOSFET Driver with Diagnostic Output NIMD6001N is a dual 3 Amp low side switch with an integrated common disable input and drain diagnostic output.Pulling the Disable pin low will override any applied gate voltages and turn off both FET switches.Should either Drain-Source voltage exceed approximately 50V, a logic 1will be asserted on t • 110m Maximum RDSON at VGS=10V\n• Avalanche Energy Specified\n• Gate Drive Disable Input\n• Drain-Source Voltage Diagnostic Feedback Output \n• Electrically Isolated Drains\n• Internal Resistors Limit Peak Transient Gate Current\n• AEC-Q101 Qualified; | ONSEMI 安森美半导体 | ||
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封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 8SOIC 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器 | ONSEMI 安森美半导体 | |||
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NIMD6001A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NIMD6001A
- 功能描述
MOSFET 60V 3.3A 130 MOHM DUAL
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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