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NIMD6001ANR2G中文资料

厂家型号

NIMD6001ANR2G

文件大小

203.74Kbytes

页面数量

9

功能描述

Dual N-Channel Driver

MOSFET 60V 3.3A 130 MOHM DUAL

数据手册

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简称

ONSEMI安森美半导体

生产厂商

ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体公司官网

LOGO

NIMD6001ANR2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NIMD6001ANR2G

  • 功能描述

    MOSFET 60V 3.3A 130 MOHM DUAL

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-6-11 15:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
23+/24+
8-SOIC
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  • ORING

ON Semiconductor 安森美半导体公司

中文资料: 110767条

安森美半导体公司(ON Semiconductor美国纳斯达克上市代号:ON)成立于1965年,总部位于美国马萨诸塞州劳埃尔市。安森美是一家全球领先的半导体公司,专注于设计和制造高性能模拟与数字信号处理技术。公司产品涵盖模拟信号处理器、混合信号处理器、数据转换器、射频/微波产品、功率管理产品等领域。 安森美半导体公司的产品被广泛应用于工业、汽车、通讯、医疗、消费电子等多个领域。其创新的技术与解决方案为各行业客户提供了卓越的性能和可靠性。公司以不断推动技术创新和高性能产品而闻名,并在全球范围内拥有广泛的客户群。