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NGTB30N60FWG	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 文件：182.66 Kbytes Page：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB30N60FWG	封装/外壳：TO-247-3 包装：散装描述：IGBT 600V 60A 167W TO247 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB30N60FWG	IGBT 600V 30A Gen Mkt	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BIDW30N60T	BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris	Bourns 伯恩斯	Bourns
AIKW30N60CT	Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode 文件：1.9827 Mbytes Page：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
AR30N60	ACTIVE / SYNCHRONOUS RECTIFIER 文件：672.35 Kbytes Page：15 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DAM30N60C	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：281.61 Kbytes Page：4 Pages	DACO 罡境电子	DACO
DAM30N60F	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：264.01 Kbytes Page：4 Pages	DACO 罡境电子	DACO

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更新时间：2025-11-24 20:00:00

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NH82801IR十六年来只坚持做原装
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2024-12-12
NFM18PC225B1A3D陶瓷电容器产品
NFM18PC225B1A3D是一款能提供电能储存、过滤和隔离等功能的陶瓷电容器产品，被广泛应用于电子电路中，主要用于平滑电压、过滤噪声、信号隔离和稳压等方面的应用。
2023-6-20
NFE31PT471F1E9L原装特价现货出售
NFE31PT471F1E9L
2022-7-27
NGTB50N120FL2WG ON/安森美
www.hfxcom.com
2021-12-7
NGTB40N120FL3WG
NGTB40N120FL3WG
2021-7-21
NG80960KA20
FCLGA-1155 CPU - 中央处理器 , FCBGA-1090 CPU - 中央处理器 , DDR3L-1600, DDR4-2133, LPDDR3-1866 CPU - 中央处理器 , 15 W CPU - 中央处理器 , Intel Core i7 FCBGA-1528 CPU - 中央处理器 , FCLGA-1150 Desktop Processors Intel Core i7 CPU - 中央处理器
2020-9-16