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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) FEATURES • This product is suitable for medium output power (2 W) amplification Pout = 33.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 460 MHz Pout = 31.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 9 | RENESAS 瑞萨 |   | ||
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) 文件：349.47 Kbytes Page：11 Pages | CEL | | ||
NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) FEATURES • This product is suitable for medium output power (2 W) amplification Pout = 33.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 460 MHz Pout = 31.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 9 | RENESAS 瑞萨 | | ||
封装/外壳：TO-243AA 包装：散装 描述：TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 | CEL | | ||
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) 文件：349.47 Kbytes Page：11 Pages | CEL | |
NESG270034-T1-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NESG270034-T1-A
- 功能描述
射频硅锗晶体管 NPN Silicon Med Pwr Transistor
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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RENESAS |
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SOT89 |
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RENESAS |
23+ |
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MINI-3 |
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SOT343 |
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21+ |
SOT-89 |
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