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NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) FEATURES • This product is suitable for medium output power (2 W) amplification Pout = 33.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 460 MHz Pout = 31.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 9

RENESAS

瑞萨

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)

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CEL

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) FEATURES • This product is suitable for medium output power (2 W) amplification Pout = 33.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 460 MHz Pout = 31.5 dBm TYP. @ VCE = 6 V, Pin = 20 dBm, f = 9

RENESAS

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封装/外壳:TO-243AA 包装:散装 描述:TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

CEL

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)

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CEL

NESG270034-T1-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NESG270034-T1-A

  • 功能描述

    射频硅锗晶体管 NPN Silicon Med Pwr Transistor

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装

    Reel

更新时间:2026-1-27 11:51:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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明嘉莱只做原装正品现货

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