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NEL2301	CLASS A 2.3 GHZ 15 VOLT POWER TRANSISTOR DESCRIPTION AND APPLICATIONS This L-band linear power transistor series incorporates a Pt-Si/Ti/Pt/Au metallization system, emitter ballasting and silicon nitride passivation for performance and reliability. Avariety of hermetic packages and a plastic package are available for wide band amplifier	NEC 瑞萨	NEC
NEL2301	CLASS A 2.3 GHZ 15 VOLT POWER TRANSISTOR	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NTE2301	Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output Description: The NTE2301 is a silicon NPN power transistor in a TO218 type package designed for use in large screen deflection circuits. Features: • Collector–Emitter Voltage: VCEX = 1500V • Glassivated Base–Collector Junction • Safe Operating Area @ 50µs = 20A, 400V • Switchin	NTE	NTE
CNB2301	Reflective Photosensor 文件：49.97 Kbytes Page：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
LMX2301	PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：225.65 Kbytes Page：14 Pages	NSC 国半	NSC
LMX2301TMX	PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：225.65 Kbytes Page：14 Pages	NSC 国半	NSC
TLE2301INE	EXCALIBUR 3-STATE-OUTPUT WIDE-BANDWIDTH POWER OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：324.91 Kbytes Page：22 Pages	TI 德州仪器	TI

NE8FDP-B-TOP
NE8FDP-B-TOP
2024-6-28
NEO-F10N-00B
进口代理
2024-2-27
NEO-F10T-00B
进口代理
2024-2-27
NEMEME001
NEMEME001
2023-3-16
NE57811-先进的DDR内存，关闭终端电源
描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率（DDR）SDRAM内存总线。它显着减少元件数量，电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压（DDR参考总线电压）的一半，电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5（SOT756）包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器，没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化，降低输出电容器的需求。特点
2013-1-14
NE56631-30D-低有效的系统复位
NE56631- XX是一个家庭的低有效，上电复位内提供±3％及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9 V，2.0 V，为2.7 V，2.8 V，2.9 V，3.0 V，3.1 V，4.2 V，4.3 V，4.4 V，4.5 V，4.6 V。根据要求提供其它阈值从100 mV的步长1.9 V至4.6 V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631- XX的检测能力，非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器，电压检查和检测水平。应用 •复位微处理器和逻辑电路 •电压
2012-11-18