| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Low voltage fast-switching PNP power transistor Description The 2STR2215 is a PNP transistor manufactured using new “PB-HCD” (Power Bipolar High Current Density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage. The complementary NPN is the 2STR1215. Features ■ Very low co | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |||
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Modular Radio Telemetry System 文件:396.37 Kbytes Page:11 Pages | RFSOLUTIONS |
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2023-3-16NE57811-先进的DDR内存,关闭终端电源
描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率(DDR)SDRAM内存总线。它显着减少元件数量,电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压(DDR参考总线电压)的一半,电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5(SOT756)包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器,没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化,降低输出电容器的需求。 特点
2013-1-14NE56631-30D-低有效的系统复位
NE56631- XX是一个家庭的低有效,上电复位内提供±3%及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9 V,2.0 V,为2.7 V,2.8 V,2.9 V,3.0 V,3.1 V,4.2 V,4.3 V,4.4 V,4.5 V,4.6 V。根据要求提供其它阈值从100 mV的步长1.9 V至4.6 V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631- XX的检测能力,非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器,电压检查和检测水平。 应用 •复位微处理器和逻辑电路 •电压
2012-11-18
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