型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO3435/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.5V. This device is suitable for use in buck convertor applications. AO3435 and AO3435L are electrically identical. -RoHS Compliant -

AOSMD

万国半导体

Adafruit TPL5110 Low Power Timer Breakout

文件:557.57 Kbytes Page:2 Pages

Adafruit

Beaded Ties

文件:106.3 Kbytes Page:1 Pages

Heyco

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:167.36 Kbytes Page:3 Pages

AnalogPower

20V P-Channel MOSFET

文件:183.44 Kbytes Page:4 Pages

AOSMD

万国半导体

更新时间:2025-12-28 19:10:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ALPHA
24+
SOT23-3
880000
明嘉莱只做原装正品现货
AOS
20+
SOT-23-3L
3000
AOS(万代)
24+
标准封装
8663
我们只是原厂的搬运工
AOS/万代
2019+
SOT23-3
3470
原厂渠道 可含税出货
25+
600
公司现货库存
AOS/万代
23+
SOT23-3
24190
原装正品代理渠道价格优势
AOS/万代
24+
SOT-23
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
AO
16+
SOT23-3
41120
鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠锋牸鍙皥!
AOS
2447
SOT-23(SOT-23-3)
105000
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
AOS/万代
25+
SOT23-3
36297
AOS/万代全新特价AO3435即刻询购立享优惠#长期有货

NECK3435数据表相关新闻

  • NE8FDP-B-TOP

    NE8FDP-B-TOP

    2024-6-28
  • NEO-F10N-00B

    进口代理

    2024-2-27
  • NEO-F10T-00B

    进口代理

    2024-2-27
  • NEMEME001

    NEMEME001

    2023-3-16
  • NE57811-先进的DDR内存,关闭终端电源

    描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率(DDR)SDRAM内存总线。它显着减少元件数量,电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压(DDR参考总线电压)的一半,电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5(SOT756)包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器,没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化,降低输出电容器的需求。 特点

    2013-1-14
  • NE56631-30D-低有效的系统复位

    NE56631- XX是一个家庭的低有效,上电复位内提供±3%及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9 V,2.0 V,为2.7 V,2.8 V,2.9 V,3.0 V,3.1 V,4.2 V,4.3 V,4.4 V,4.5 V,4.6 V。根据要求提供其它阈值从100 mV的步长1.9 V至4.6 V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631- XX的检测能力,非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器,电压检查和检测水平。 应用 •复位微处理器和逻辑电路 •电压

    2012-11-18