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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
MBD701	70 VOLTS HIGH.VOLTAGE SILICON HOT.CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES Silicon Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes These devices are designed primarily for high–efficiency UHF and VHF detector applications. They are readily adaptable to many other fast switching RF and digital applications. They are supplied in an inexpensive plastic package for low–cost, hig	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MJE701T	POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) PLASTIC DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS ... designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. FEATURES * High DCCurrent Gain — hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 A * Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Resistors to Limit Leakage Multiplicat	MOSPEC 统懋	MOSPEC
NJU701XD	LOW-POWER DUAL C-MOS OPERATIONAL AMPLIFIER??? 文件：264.28 Kbytes Page：9 Pages	NJRC 日本无线	NJRC
NJU701XF	LOW-POWER TINY SINGLE C-MOS OPERATIONAL AMPLIFIER? 文件：260.079 Kbytes Page：9 Pages	NJRC 日本无线	NJRC
NJU701XV	LOW-POWER DUAL C-MOS OPERATIONAL AMPLIFIER??? 文件：264.28 Kbytes Page：9 Pages	NJRC 日本无线	NJRC

NEC701A供应商更多...

更新时间：2026-3-14 13:01:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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NE8FDP-B-TOP
NE8FDP-B-TOP
2024-6-28
NEO-F10T-00B
进口代理
2024-2-27
NEO-F10N-00B
进口代理
2024-2-27
NEMEME001
NEMEME001
2023-3-16
NE57811-先进的DDR内存，关闭终端电源
描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率（DDR）SDRAM内存总线。它显着减少元件数量，电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压（DDR参考总线电压）的一半，电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5（SOT756）包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器，没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化，降低输出电容器的需求。特点
2013-1-14
NE56631-30D-低有效的系统复位
NE56631- XX是一个家庭的低有效，上电复位内提供±3％及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9 V，2.0 V，为2.7 V，2.8 V，2.9 V，3.0 V，3.1 V，4.2 V，4.3 V，4.4 V，4.5 V，4.6 V。根据要求提供其它阈值从100 mV的步长1.9 V至4.6 V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631- XX的检测能力，非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器，电压检查和检测水平。应用 •复位微处理器和逻辑电路 •电压
2012-11-18