型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 40V, 43A, RDS(ON) = 8.4mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 13mW @VGS = 4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Pb-free lead plating ; RoHS compliant. Halogen Free.

CET-MOS

华瑞

20-30GHz High Power Amplifier

Description The CHA4092 is a high gain broadband three stage balanced monolithic power amplifier. It is designed for a wide range of applications, from military to commercial communication systems. Main Features ■ Broadband performances : 20-30GHz ■ 22 dBm output power ( 1dB gain comp. ) ■ 17

UMS

P-CHANNEL JFET

GENERAL INFORMATION/CROSS REFERENCES

Intersil

Low to mid range engine management

文件:663.33 Kbytes Page:38 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

2.0A, 2-4 cell lithium battery switching charger

文件:759.55 Kbytes Page:14 Pages

HMSEMI

华之美半导体

更新时间:2025-12-27 12:00:01
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    描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率(DDR)SDRAM内存总线。它显着减少元件数量,电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压(DDR参考总线电压)的一半,电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5(SOT756)包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器,没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化,降低输出电容器的需求。 特点

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