型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

20-30GHz High Power Amplifier

Description The CHA4092 is a high gain broadband three stage balanced monolithic power amplifier. It is designed for a wide range of applications, from military to commercial communication systems. Main Features ■ Broadband performances : 20-30GHz ■ 22 dBm output power ( 1dB gain comp. ) ■ 17

UMS

N-Channel Switch

N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabalized amplifiers. Sourced from Process 51. See J111 for characteristics.

FAIRCHILD

仙童半导体

5 BIT BINARY TO 7-SEGMENT DECODER DRIVER

5 BIT BINARY TO 7-SEGMENT DECODER DRIVER

STMICROELECTRONICS

意法半导体

J-FET INPUT LOW-OFFSET DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER

文件:87.45 Kbytes Page:12 Pages

NEC

瑞萨

J-FET INPUT LOW-OFFSET DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER

文件:87.45 Kbytes Page:12 Pages

NEC

瑞萨

更新时间:2026-3-14 17:43:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SIE
24+
65230
PHI
22+
SOP28
20000
公司只做原装 品质保证
ST
2025+
ZIP
3645
全新原厂原装产品、公司现货销售
SIEMENS/西门子
24+
DIP
15000
全新原装现货假一赔十
TEMIC
24+
TO220
22055
郑重承诺只做原装进口现货
PHI
24+
DIP
2500
自己现货
ST
23+
SOP
5000
原装正品,假一罚十
SIEMENS/西门子
25+
DIP22
72
全新原装正品支持含税
PHI
2447
ZIP
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
PHI
23+
SOP28
16000
全新原装正品现货,支持订货

NEC4092数据表相关新闻

  • NE8FDP-B-TOP

    NE8FDP-B-TOP

    2024-6-28
  • NEO-F10T-00B

    进口代理

    2024-2-27
  • NEO-F10N-00B

    进口代理

    2024-2-27
  • NEMEME001

    NEMEME001

    2023-3-16
  • NE57811-先进的DDR内存,关闭终端电源

    描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率(DDR)SDRAM内存总线。它显着减少元件数量,电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压(DDR参考总线电压)的一半,电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5(SOT756)包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器,没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化,降低输出电容器的需求。 特点

    2013-1-14
  • NE56631-30D-低有效的系统复位

    NE56631- XX是一个家庭的低有效,上电复位内提供±3%及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9 V,2.0 V,为2.7 V,2.8 V,2.9 V,3.0 V,3.1 V,4.2 V,4.3 V,4.4 V,4.5 V,4.6 V。根据要求提供其它阈值从100 mV的步长1.9 V至4.6 V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631- XX的检测能力,非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器,电压检查和检测水平。 应用 •复位微处理器和逻辑电路 •电压

    2012-11-18