| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR 15.0 Watts Single Ended Package Style S02 HIGH EFFICIENCY, LINEAR HIGH GAIN, LOW NOISE General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, | POLYFET | |||
GENERAL PURPOSE L-BAND DOWN CONVERTER ICs [NEC] SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE | NEC 瑞萨 | |||
Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件:579.21 Kbytes Page:28 Pages | TI 德州仪器 | |||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
23+ |
8-DIP |
65600 |
||||
STMicroelectronics |
24+ |
8-迷你型 DIP |
53200 |
一级代理/放心采购 |
|||
STM |
2018+ |
26976 |
代理原装现货/特价热卖! |
||||
POLYFET |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
ST |
24+ |
DIP8 |
20000 |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
|||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
ST |
DIP-8 |
1000 |
原装长期供货! |
||||
ST |
22+ |
TSSOP |
6958 |
全新原装现货! |
|||
POLYFET |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
POLYFET |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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2024-6-28NEO-F10T-00B
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2023-3-16NE57811-先进的DDR内存,关闭终端电源
描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率(DDR)SDRAM内存总线。它显着减少元件数量,电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压(DDR参考总线电压)的一半,电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5(SOT756)包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器,没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化,降低输出电容器的需求。 特点
2013-1-14NE56631-30D-低有效的系统复位
NE56631- XX是一个家庭的低有效,上电复位内提供±3%及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9 V,2.0 V,为2.7 V,2.8 V,2.9 V,3.0 V,3.1 V,4.2 V,4.3 V,4.4 V,4.5 V,4.6 V。根据要求提供其它阈值从100 mV的步长1.9 V至4.6 V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631- XX的检测能力,非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器,电压检查和检测水平。 应用 •复位微处理器和逻辑电路 •电压
2012-11-18
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