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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
25LV512	512 Kbit / 1 Mbit 3.0 Volt-only, Serial Flash Memory With 25 MHz SPI Bus Interface GENERAL DESCRIPTION The Pm25LV512/010 are 512 Kbit/1 Mbits 3.0 Volt-only serial Flash memories. These devices are designed to use a single low voltage, range from 2.7 Volt to 3.6 Volt, power supply to perform read, erase and program operations. The devices can be programmed in standard EPROM pr	PMC	PMC
EM25LV512	512 K (64K x 8) Bits Serial Flash Memory General Description The EM25LV512 is a 512K bits Flash memory organized as 64K x 8 bits and uses a single voltage of 2.7-3.6V for Program and Erase. It features a typical 2ms Page-Program time and a typical 40ms Block-Erase time. The device uses status register to detect the completion of the P	EMC 义隆电子	EMC
PM25LV512	512 Kbit / 1 Mbit 3.0 Volt-only, Serial Flash Memory With 25 MHz SPI Bus Interface GENERAL DESCRIPTION The Pm25LV512/010 are 512 Kbit/1 Mbits 3.0 Volt-only serial Flash memories. These devices are designed to use a single low voltage, range from 2.7 Volt to 3.6 Volt, power supply to perform read, erase and program operations. The devices can be programmed in standard EPROM pr	PMC	PMC
PM25LV512A	512 Kbit /1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit 3.0 Volt-onl Serial Flash Memory With 100 MHz SPI Bus Interface 文件：628.46 Kbytes Page：36 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

NEC25LV512供应商更多...

更新时间：2026-1-2 19:09:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	EM260-RTR	EMBER	24+	ROHS	990000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市振宏微科技有限公司	EM2600	EMPIA	23+	BGAQFP	8659	原装公司现货!原装正品价格优势.	询价
标准国际(香港)有限公司	EM260-EMBER	SILICON LAB	25+		46	公司优势库存热卖中!	询价
深圳市壹芯创科技有限公司	EM2600	EMBER	22+	LQFP64	5000	进口原装!现货库存	询价
深圳市中联芯电子有限公司	EM260-RTR	SILICON LABS	24+	QFN	9000	只做原装正品有挂有货假一赔十	询价
深圳诚思涵科技有限公司	EM2600	EMPIA	16+	TQFP	2500	进口原装现货/价格优势!	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	EM2600	EMPIA	2447	QFP	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	EM2600	EMPIA	23+	TQFP	7600	专注配单,只做原装进口现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	EM260-BB-128K-US-R	Silicon Labs	20+	原装	29860	RF片上系统SOC-可开原型号增税票	询价
深圳市威雅利发展有限公司	EM260-RTR	UNISEM	1026+	QFN	4124	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价

NE8FDP-B-TOP
NE8FDP-B-TOP
2024-6-28
NEO-F10T-00B
进口代理
2024-2-27
NEO-F10N-00B
进口代理
2024-2-27
NEMEME001
NEMEME001
2023-3-16
NE57811-先进的DDR内存，关闭终端电源
描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率（DDR）SDRAM内存总线。它显着减少元件数量，电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压（DDR参考总线电压）的一半，电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5（SOT756）包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器，没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化，降低输出电容器的需求。特点
2013-1-14
NE56631-30D-低有效的系统复位
NE56631- XX是一个家庭的低有效，上电复位内提供±3％及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9 V，2.0 V，为2.7 V，2.8 V，2.9 V，3.0 V，3.1 V，4.2 V，4.3 V，4.4 V，4.5 V，4.6 V。根据要求提供其它阈值从100 mV的步长1.9 V至4.6 V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631- XX的检测能力，非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器，电压检查和检测水平。应用 •复位微处理器和逻辑电路 •电压
2012-11-18