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ADM75N10	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM75N10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with	ADV 爱德微	ADV
ADM75N10E	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM75N10E uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with	ADV 爱德微	ADV
ADM75N10Q	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM75N10Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with	ADV 爱德微	ADV
75N10	N-Channel Power MOSFET 文件：412.76 Kbytes Page：8 Pages	NELLSEMI 尼尔半导体	NELLSEMI
75N10	Fast Switching Speed 文件：58.98 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

NEB75N10供应商更多...

更新时间：2025-12-30 23:01:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	ADM790LARZ	ADI/亚德诺	24+	NA/	100	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	ADM790LARZ	ADI/亚德诺	25+	SOP8	100	原装正品,欢迎来电咨询!	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	ADM-8006PSM	Marki microwave	24+	N/A	4500	Marki优势渠道	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	ADM-8007PSM	Marki	24+	模块	400		询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	ADM7872KR	AD	NEW	SOP	9827	代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订	询价
深圳诚思涵科技有限公司	ADM7609	ADMTEK	16+	TSOP48	4000	进口原装现货/价格优势!	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	ADM7703CR	AnalogDevices		AD专业分销	2500	AD代理旗下一级分销商,主营AD全系列产品	询价
深圳市振宏微科技有限公司	ADM7609	ADI	23+	BGAQFP	8659	原装公司现货!原装正品价格优势.	询价
君宇国际实业有限公司	ADM800LAN			最新	2000	原装正品现货	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	ADM7609	AD	24+	QFP	6980	原装现货,可开13%税票	询价

NE8FDP-B-TOP
NE8FDP-B-TOP
2024-6-28
NEO-F10T-00B
进口代理
2024-2-27
NEO-F10N-00B
进口代理
2024-2-27
NEMEME001
NEMEME001
2023-3-16
NE57811-先进的DDR内存，关闭终端电源
描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率（DDR）SDRAM内存总线。它显着减少元件数量，电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压（DDR参考总线电压）的一半，电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5（SOT756）包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器，没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化，降低输出电容器的需求。特点
2013-1-14
NE56631-30D-低有效的系统复位
NE56631- XX是一个家庭的低有效，上电复位内提供±3％及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9 V，2.0 V，为2.7 V，2.8 V，2.9 V，3.0 V，3.1 V，4.2 V，4.3 V，4.4 V，4.5 V，4.6 V。根据要求提供其它阈值从100 mV的步长1.9 V至4.6 V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631- XX的检测能力，非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器，电压检查和检测水平。应用 •复位微处理器和逻辑电路 •电压
2012-11-18