NE97833价格

参考价格:¥10.9156

型号:NE97833-A 品牌:CEL 备注:这里有NE97833多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NE97833批发/采购报价,NE97833行情走势销售排行榜,NE97833报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NE97833

PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION The NE97833 PNP silicon transistor is designed for ultrahigh speed current mode switching applications and microwave amplifiers up to 3.5 GHz. The NE97833 offers excellent performance and reliability at low cost. FEATURES • HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 5.5 GHz TYP • HIGH SPEED

NEC

瑞萨

NE97833

PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件:170.48 Kbytes Page:6 Pages

CEL

California Eastern Labs

PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION The NE97833 PNP silicon transistor is designed for ultrahigh speed current mode switching applications and microwave amplifiers up to 3.5 GHz. The NE97833 offers excellent performance and reliability at low cost. FEATURES • HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 5.5 GHz TYP • HIGH SPEED

NEC

瑞萨

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT) 描述:RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

CEL

California Eastern Labs

PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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CEL

California Eastern Labs

NE97833产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE97833

  • 功能描述

    射频双极小信号晶体管 PNP High Frequency

  • RoHS

  • 制造商

    NXP Semiconductors

  • 配置

    Single

  • 晶体管极性

    NPN

  • 最大工作频率

    7000 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    15 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    2 V

  • 集电极连续电流

    0.15 A

  • 功率耗散

    1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 封装/箱体

    SOT-223

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-8-14 20:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NDK
21+
SMD6
10000
原装现货假一罚十
NEC
25+
SOT-23
18238
NEC原装特价NE97833-T1-A即刻询购立享优惠#长期有货
NEC
23+
SOT-23
50000
原装正品 支持实单
CEL
24+
原厂原装
4000
原装正品
NEC
23+
原厂封装
13528
振宏微原装正品,假一罚百
NEC
22+
SOT23
25000
只有原装原装,支持BOM配单
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-23
26690
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
NDK
DIP-5
35560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
S/PHI
6000
面议
19
CDIP
原厂正品
23+
SOT23
5000
原装正品,假一罚十

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    描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率(DDR)SDRAM内存总线。它显着减少元件数量,电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压(DDR参考总线电压)的一半,电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5(SOT756)包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器,没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化,降低输出电容器的需求。 特点

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