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NE97833-T1B-A价格
参考价格：￥8.8288
型号：NE97833-T1B-A 品牌：CEL 备注：这里有NE97833-T1B-A多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NE97833-T1B-A批发/采购报价，NE97833-T1B-A行情走势销售排行榜，NE97833-T1B-A报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE97833-T1B-A | PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：170.48 Kbytes Page：6 Pages | CEL California Eastern Labs |   | |
PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION The NE97833 PNP silicon transistor is designed for ultrahigh speed current mode switching applications and microwave amplifiers up to 3.5 GHz. The NE97833 offers excellent performance and reliability at low cost. FEATURES • HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 5.5 GHz TYP • HIGH SPEED | NEC 瑞萨 | |
NE97833-T1B-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE97833-T1B-A
- 功能描述
射频双极小信号晶体管 PNP High Frequency
- RoHS
否
- 制造商
NXP Semiconductors
- 配置
Single
- 晶体管极性
NPN
- 最大工作频率
7000 MHz 集电极—发射极最大电压
- VCEO
15 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
2 V
- 集电极连续电流
0.15 A
- 功率耗散
1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe
- 最大工作温度
+ 150 C
- 封装/箱体
SOT-223
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NIHON |
24+ |
NA/ |
423 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
NDK |
21+ |
SMD6 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
NEC |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
|||
S/PHI |
6000 |
面议 |
19 |
CDIP |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-23 |
26690 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
CEL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
|||
NDK |
DIP-5 |
35560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
24+ |
3000 |
公司存货 |
|||||
NEC |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
N/A |
2023+ |
SOP8L |
50000 |
原装现货 |
NE97833-T1B-A规格书下载地址
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- NED-50B
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- NED-100
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- NEB-264DWA-AN
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2023-3-16NE57811-先进的DDR内存，关闭终端电源
描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率（DDR）SDRAM内存总线。它显着减少元件数量，电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压（DDR参考总线电压）的一半，电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5（SOT756）包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器，没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化，降低输出电容器的需求。 特点
2013-1-14NE56631-30D-低有效的系统复位
NE56631- XX是一个家庭的低有效，上电复位内提供±3％及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9 V，2.0 V，为2.7 V，2.8 V，2.9 V，3.0 V，3.1 V，4.2 V，4.3 V，4.4 V，4.5 V，4.6 V。根据要求提供其它阈值从100 mV的步长1.9 V至4.6 V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631- XX的检测能力，非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器，电压检查和检测水平。 应用 •复位微处理器和逻辑电路 •电压
2012-11-18
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