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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE94433-T1-T43 | NE94433-T1-T43 | California Eastern Laboratories(CEL) California Eastern Laboratories(CEL) |
NE94433-T1-T43产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE94433-T1-T43
- 制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述
NPN Silicon Amplifier and Oscillator Transistor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT23 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
21+ |
SOT23 |
1855 |
||||
CEL |
24+ |
原厂原封 |
4000 |
原装正品 |
|||
NEC |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
|||
PHI |
25+ |
179 |
公司优势库存 热卖中! |
||||
NEC |
25+ |
SOP-8 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
|||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
|||
S/PHI |
6000 |
面议 |
19 |
CDIP |
|||
原厂正品 |
23+ |
SOT23 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
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2024-6-28NEO-F10T-00B
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2024-2-27NEMEME001
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2023-3-16NE57811-先进的DDR内存,关闭终端电源
描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率(DDR)SDRAM内存总线。它显着减少元件数量,电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压(DDR参考总线电压)的一半,电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5(SOT756)包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器,没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化,降低输出电容器的需求。 特点
2013-1-14NE56631-30D-低有效的系统复位
NE56631- XX是一个家庭的低有效,上电复位内提供±3%及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9 V,2.0 V,为2.7 V,2.8 V,2.9 V,3.0 V,3.1 V,4.2 V,4.3 V,4.4 V,4.5 V,4.6 V。根据要求提供其它阈值从100 mV的步长1.9 V至4.6 V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631- XX的检测能力,非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器,电压检查和检测水平。 应用 •复位微处理器和逻辑电路 •电压
2012-11-18
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