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位置：首页 > IC中文资料第7208页 > NE856

NE856价格

参考价格：￥2.7517

型号：NE85619-A 品牌：CEL 备注：这里有NE856多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NE856批发/采购报价，NE856行情走势销售排行榜，NE856报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NE856

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NE856

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE856M02

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORHIGHFREQUENCYLOWDISTORTIONAMPLIFIER

DESCRIPTION TheNE856M02isanNPNsiliconepitaxialbipolartransistordesignedformediumpowerapplicationsrequiringhighdynamicrangeandlowintermodulationdistortion.ThisdeviceoffersexcellentperformanceandreliabilityatlowcostthroughNECstitanium,platinum,goldmetallization

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NE856M02-T1

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORHIGHFREQUENCYLOWDISTORTIONAMPLIFIER

DESCRIPTION TheNE856M02isanNPNsiliconepitaxialbipolartransistordesignedformediumpowerapplicationsrequiringhighdynamicrangeandlowintermodulationdistortion.ThisdeviceoffersexcellentperformanceandreliabilityatlowcostthroughNECstitanium,platinum,goldmetallization

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NE856M03

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE856M03transistorisdesignedforlowcostamplifierandoscillatorapplications.Lownoisefigure,highgainandhighcurrentcapabilityequatetowidedynamicrangeandexcellentlinearity.NECsnewlowprofile/flatleadstyleM03packageisidealfortodaysportablewireless

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NE856M13

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE856M13transistorisdesignedforlowcostamplifierandoscillatorapplications.Lownoisefigure,highgainandhighcurrentcapabilityequatetowidedynamicrangeandexcellentlinearity.NECsnewlowprofile/flatleadstyleM13packageisidealfortodaysportablewireless

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NE856M23

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE856M23transistorisdesignedforlowcostamplifierandoscillatorapplications.Lownoisefigure,highgainandhighcurrentcapabilityequatetowidedynamicrangeandexcellentlinearity.NECsnewlowprofile/ceramicsubstratestyleM23packageisidealfortodaysportablew

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NE85600

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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NE85600

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CELDUCcelduc Relais (Shanghai）Co., Ltd

凡纪继电器凡纪继电器（上海）有限公司

CELDUC
NE85618

NONLINEARMODEL

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CEL

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CEL
NE85618

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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NECRenesas Electronics America

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NE85618-T1

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85618-T1

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CELDUCcelduc Relais (Shanghai）Co., Ltd

凡纪继电器凡纪继电器（上海）有限公司

CELDUC
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NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CELDUCcelduc Relais (Shanghai）Co., Ltd

凡纪继电器凡纪继电器（上海）有限公司

CELDUC
NE85618-T1-A

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85618-T1-A

封装/外壳：SC-82A，SOT-343 包装：卷带（TR） 描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85619

NONLINEARMODEL

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CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85619

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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NE85619-A

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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NE85619-A

封装/外壳：SOT-523 包装：卷带（TR） 描述：RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85619-T1

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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NE85619-T1

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85619-T1-A

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85619-T1-A

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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NE85630

NONLINEARMODEL

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CEL

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CEL
NE85630

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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NE85630-T1

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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California Eastern Laboratories

CEL
NE85630-T1

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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凡纪继电器凡纪继电器（上海）有限公司

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NE85630-T1-A

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85630-T1-A

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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NE85632

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CELDUC
NE85632

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85632

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NE85632-A

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85632-A

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CELDUCcelduc Relais (Shanghai）Co., Ltd

凡纪继电器凡纪继电器（上海）有限公司

CELDUC
NE85633

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NE85633

NONLINEARMODEL

文件：30.32 Kbytes Page：1 Pages

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85633-T1B

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

文件：831.88 Kbytes Page：26 Pages

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85633-T1B

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

文件：832.78 Kbytes Page：26 Pages

CELDUCcelduc Relais (Shanghai）Co., Ltd

凡纪继电器凡纪继电器（上海）有限公司

CELDUC
NE85633-T1B-A

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CELDUCcelduc Relais (Shanghai）Co., Ltd

凡纪继电器凡纪继电器（上海）有限公司

CELDUC
NE85633-T1B-A

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

文件：831.88 Kbytes Page：26 Pages

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85634

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

文件：257.29 Kbytes Page：25 Pages

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NE85634

NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION

文件：216.06 Kbytes Page：6 Pages

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85634-A

NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION

文件：216.06 Kbytes Page：6 Pages

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85634-T1

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

文件：832.78 Kbytes Page：26 Pages

CELDUCcelduc Relais (Shanghai）Co., Ltd

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CELDUC
NE85634-T1

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85634-T1-A

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

文件：832.78 Kbytes Page：26 Pages

CELDUCcelduc Relais (Shanghai）Co., Ltd

凡纪继电器凡纪继电器（上海）有限公司

CELDUC
NE85634-T1-A

NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION

文件：216.06 Kbytes Page：6 Pages

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85634-T1-A

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

文件：831.88 Kbytes Page：26 Pages

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85635

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

文件：831.88 Kbytes Page：26 Pages

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85635

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CELDUCcelduc Relais (Shanghai）Co., Ltd

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CELDUC
NE85635

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NE85639

NONLINEARMODEL

文件：37.15 Kbytes Page：1 Pages

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85639

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

文件：257.29 Kbytes Page：25 Pages

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NE85639R

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NE85639R-T1

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE85639R-T1

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CELDUCcelduc Relais (Shanghai）Co., Ltd

凡纪继电器凡纪继电器（上海）有限公司

CELDUC
NE85639-T1

NECsNPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CELDUCcelduc Relais (Shanghai）Co., Ltd

凡纪继电器凡纪继电器（上海）有限公司

CELDUC
NE85639-T1

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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CEL

California Eastern Laboratories

CEL

NE856产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE856

  • 制造商

    CEL

  • 制造商全称

    CEL

  • 功能描述

    NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

NE856供应商更多...

更新时间：2024-6-17 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
NE85619-T1
NEC
2020+
SOT423
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
深圳市金芯世纪电子有限公司
NE85634-T1
NEC
22+
SOT-89
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
NE856M02-T1-AZ
RENESAS/瑞萨
24+
NA
860000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
NE85618-T1-A
NEC
20+
SOT343
49000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
深圳市晨豪科技有限公司
NE856M02-T1
NEC/RENESAS瑞萨
23+
SOT-89
89630
当天发货全新原装现货
询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司
NE85633-T1B-R25-A
RENESAS
21+
SOT23-3
12588
原装正品,自己库存 假一罚十
询价
深圳市赛美科科技有限公司
NE85630-T1-A
Renesas
NA
5500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
深圳市星宇佳科技有限公司
NE856M03-A
ZXV
20+
SOT-523
90000
原装现货支持BOM配单服务
询价
深圳市威雅利发展有限公司
NE85634-T1-A
NEC
2017+
SOT89
1020
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
NE85633-T1B-R25-A
RENESAS/瑞萨
23+
NA/
30
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价

NE856芯片相关品牌

  • DATADELAY
  • Fujitsu
  • Hittite
  • JHE
  • Lattice
  • Microsemi
  • MOLEX10
  • NUMONYX
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  • TI1
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NE856数据表相关新闻

  • NEO-F10T-00B

    进口代理

    2024-2-27

  • NEO-F10N-00B

    进口代理

    2024-2-27

  • NEMEME001

    NEMEME001

    2023-3-16

  • NE5568-交换式电源控制器

    描述该NE5568是一个使用的开关式电源控制电路供应。它包含一个内部温度补偿的供应，脉宽调制，锯齿振荡器，过电流检测锁存和输出阶段。该装置适用于低成本开关电源的应用场合广泛的看家功能不是必需的。是的NE5568作者：NE5561所选版本。特征•微小型（四）包•脉宽调制器•电流限制（按周期循环）•锯齿波发生器•稳压电源•双脉冲防护•内部温度补偿基准

    2013-3-7

  • NE57811-先进的DDR内存，关闭终端电源

    描述NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率（DDR）SDRAM内存总线。它显着减少元件数量，电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811DDR终端稳压器维持输出RAM的电压（DDR参考总线电压）的一半，电源电压。它是能够提供高达±3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK-5（SOT756）包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器，没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化，降低输出电容器的需求。特点

    2013-1-14

  • NE56631-30D-低有效的系统复位

    NE56631-XX是一个家庭的低有效，上电复位内提供±3％及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9V，2.0V，为2.7V，2.8V，2.9V，3.0V，3.1V，4.2V，4.3V，4.4V，4.5V，4.6V。根据要求提供其它阈值从100mV的步长1.9V至4.6V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631-XX的检测能力，非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器，电压检查和检测水平。应用•复位微处理器和逻辑电路•电压

    2012-11-18

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