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参考价格：￥2.7517

型号：NE85619-A 品牌：CEL 备注：这里有NE856多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NE856批发/采购报价，NE856行情走势销售排行榜，NE856报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
NE856	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：257.29 Kbytes Page：25 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE856	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：831.88 Kbytes Page：26 Pages	CEL	CEL
NE856	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE856M02	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER DESCRIPTION The NE856M02 is an NPN silicon epitaxial bipolar transistor designed for medium power applications requiring high dynamic range and low intermodulation distortion. This device offers excellent performance and reliability at low cost through NECs titanium, platinum, gold metallization	NEC 瑞萨	NEC
NE856M02-T1	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER DESCRIPTION The NE856M02 is an NPN silicon epitaxial bipolar transistor designed for medium power applications requiring high dynamic range and low intermodulation distortion. This device offers excellent performance and reliability at low cost through NECs titanium, platinum, gold metallization	NEC 瑞萨	NEC
NE856M03	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The NE856M03 transistor is designed for low cost amplifier and oscillator applications. Low noise figure, high gain and high current capability equate to wide dynamic range and excellent linearity. NECs new low profile/flat lead style M03 package is ideal for todays portable wireless	NEC 瑞萨	NEC
NE856M13	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The NE856M13 transistor is designed for low cost amplifier and oscillator applications. Low noise figure, high gain and high current capability equate to wide dynamic range and excellent linearity. NECs new low profile/flat lead style M13 package is ideal for todays portable wireless	NEC 瑞萨	NEC
NE856M23	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The NE856M23 transistor is designed for low cost amplifier and oscillator applications. Low noise figure, high gain and high current capability equate to wide dynamic range and excellent linearity. NECs new low profile/ceramic substrate style M23 package is ideal for todays portable w	NEC 瑞萨	NEC
NE85600	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：831.88 Kbytes Page：26 Pages	CEL	CEL
NE85600	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：257.29 Kbytes Page：25 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE85600	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：832.78 Kbytes Page：26 Pages	CELDUC 凡纪继电器	CELDUC
NE85618	NONLINEAR MODEL 文件：37.2 Kbytes Page：1 Pages	CEL	CEL
NE85618	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：257.29 Kbytes Page：25 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE85618-T1	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：831.88 Kbytes Page：26 Pages	CEL	CEL
NE85618-T1	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：832.78 Kbytes Page：26 Pages	CELDUC 凡纪继电器	CELDUC
NE85618-T1-A	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：832.78 Kbytes Page：26 Pages	CELDUC 凡纪继电器	CELDUC
NE85618-T1-A	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：831.88 Kbytes Page：26 Pages	CEL	CEL
NE85618-T1-A	封装/外壳：SC-82A，SOT-343 包装：卷带（TR）描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频	CEL	CEL
NE85619	NONLINEAR MODEL 文件：30.27 Kbytes Page：1 Pages	CEL	CEL
NE85619	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：257.29 Kbytes Page：25 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE85619-A	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：832.78 Kbytes Page：26 Pages	CELDUC 凡纪继电器	CELDUC
NE85619-A	封装/外壳：SOT-523 包装：卷带（TR）描述：RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频	CEL	CEL
NE85619-T1	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：832.78 Kbytes Page：26 Pages	CELDUC 凡纪继电器	CELDUC
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NE85630	NONLINEAR MODEL 文件：30.38 Kbytes Page：1 Pages	CEL	CEL
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NE85632	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：257.29 Kbytes Page：25 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE85632	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：832.78 Kbytes Page：26 Pages	CELDUC 凡纪继电器	CELDUC
NE85632-A	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：831.88 Kbytes Page：26 Pages	CEL	CEL
NE85632-A	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：832.78 Kbytes Page：26 Pages	CELDUC 凡纪继电器	CELDUC
NE85633	NONLINEAR MODEL 文件：30.32 Kbytes Page：1 Pages	CEL	CEL
NE85633	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：257.29 Kbytes Page：25 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE85633-T1B	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：831.88 Kbytes Page：26 Pages	CEL	CEL
NE85633-T1B	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：832.78 Kbytes Page：26 Pages	CELDUC 凡纪继电器	CELDUC
NE85633-T1B-A	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：832.78 Kbytes Page：26 Pages	CELDUC 凡纪继电器	CELDUC
NE85633-T1B-A	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：831.88 Kbytes Page：26 Pages	CEL	CEL
NE85634	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：257.29 Kbytes Page：25 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE85634	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 文件：216.06 Kbytes Page：6 Pages	CEL	CEL
NE85634-A	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 文件：216.06 Kbytes Page：6 Pages	CEL	CEL
NE85634-T1	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：832.78 Kbytes Page：26 Pages	CELDUC 凡纪继电器	CELDUC
NE85634-T1	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：831.88 Kbytes Page：26 Pages	CEL	CEL
NE85634-T1-A	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：832.78 Kbytes Page：26 Pages	CELDUC 凡纪继电器	CELDUC
NE85634-T1-A	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 文件：216.06 Kbytes Page：6 Pages	CEL	CEL
NE85634-T1-A	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：831.88 Kbytes Page：26 Pages	CEL	CEL
NE85635	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：831.88 Kbytes Page：26 Pages	CEL	CEL
NE85635	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：832.78 Kbytes Page：26 Pages	CELDUC 凡纪继电器	CELDUC
NE85635	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：257.29 Kbytes Page：25 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE85639	NONLINEAR MODEL 文件：37.15 Kbytes Page：1 Pages	CEL	CEL
NE85639	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：257.29 Kbytes Page：25 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE85639R	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：257.29 Kbytes Page：25 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE85639R-T1	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：831.88 Kbytes Page：26 Pages	CEL	CEL
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NE85639-T1	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：832.78 Kbytes Page：26 Pages	CELDUC 凡纪继电器	CELDUC

NE856产品属性

类型
描述
型号
NE856
制造商
CEL
制造商全称
CEL
功能描述
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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更新时间：2025-11-23 15:22:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳艾斯科技有限公司	NE85619-T1	NEC	24+	SOT423	80000	只做自己库存全新原装进口正品假一赔百可开13%增	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	NE85635	NEC	24+	SMT36	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
深圳诚思涵科技有限公司	NE85633-T1B-A	CEL	18+	SOT23	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价
深圳市胜彬电子有限公司	NE856M02	NEC	22+	SOT89	3000	原装正品,支持实单	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	NE85634-T1	NEC	2447	SOT-89	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	NE856M03-A	CEL	24+	原厂原装	4000	原装正品	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	NE856M02-AZ	NEC	25+	SOT-89	20300	NEC原装特价NE856M02-AZ即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市能元时代电子有限公司	NE85635	NEC	23+	SMT36	12800	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
深圳市威雅利发展有限公司	NE85634-T1-A	NEC	2017+	SOT89	1020	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市诺美思科技有限公司	NE85630-T1-A	RENESAS		原厂封装	9800	原装进口公司现货假一赔百	询价

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2024-2-27
NEMEME001
NEMEME001
2023-3-16
NE5568-交换式电源控制器
描述该NE5568是一个使用的开关式电源控制电路供应。它包含一个内部温度补偿的供应，脉宽调制，锯齿振荡器，过电流检测锁存和输出阶段。该装置适用于低成本开关电源的应用场合广泛的看家功能不是必需的。是的NE5568作者：NE5561所选版本。特征 •微小型（四）包 •脉宽调制器 •电流限制（按周期循环） •锯齿波发生器 •稳压电源 •双脉冲防护 •内部温度补偿基准
2013-3-7
NE57811-先进的DDR内存，关闭终端电源
描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率（DDR）SDRAM内存总线。它显着减少元件数量，电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压（DDR参考总线电压）的一半，电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5（SOT756）包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器，没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化，降低输出电容器的需求。特点
2013-1-14
NE56631-30D-低有效的系统复位
NE56631- XX是一个家庭的低有效，上电复位内提供±3％及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9 V，2.0 V，为2.7 V，2.8 V，2.9 V，3.0 V，3.1 V，4.2 V，4.3 V，4.4 V，4.5 V，4.6 V。根据要求提供其它阈值从100 mV的步长1.9 V至4.6 V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631- XX的检测能力，非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器，电压检查和检测水平。应用 •复位微处理器和逻辑电路 •电压
2012-11-18

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