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NE76084 | C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N | NEC 瑞萨 |   | |
NE76084 | GaAs MES FET C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET FEATURES • Low noise figure & High associated gain NF = 1.6 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. at f = 12 GHz • Gate length: Lg = 0.3 mm • Gate width : Wg = 280 mm | RENESAS 瑞萨 | | |
NE76084 | C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET | RENESAS 瑞萨 | | |
C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N | NEC 瑞萨 | | ||
GaAs MES FET C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET FEATURES • Low noise figure & High associated gain NF = 1.6 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. at f = 12 GHz • Gate length: Lg = 0.3 mm • Gate width : Wg = 280 mm | RENESAS 瑞萨 | | ||
GaAs MES FET C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET FEATURES • Low noise figure & High associated gain NF = 1.6 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. at f = 12 GHz • Gate length: Lg = 0.3 mm • Gate width : Wg = 280 mm | RENESAS 瑞萨 | | ||
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C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N | NEC 瑞萨 | | ||
GaAs MES FET C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET FEATURES • Low noise figure & High associated gain NF = 1.6 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. at f = 12 GHz • Gate length: Lg = 0.3 mm • Gate width : Wg = 280 mm | RENESAS 瑞萨 | | ||
LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET 文件：42.76 Kbytes Page：4 Pages | NEC 瑞萨 | | ||
LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET 文件：42.76 Kbytes Page：4 Pages | NEC 瑞萨 | | ||
Set Points from 0.5 to 150 psi 文件：127.45 Kbytes Page：2 Pages | Honeywell 霍尼韦尔 | | ||
Extended Duty Pressure Switch With Direct Action Blade Contacts 文件：127.45 Kbytes Page：2 Pages | Honeywell 霍尼韦尔 | | ||
Extended Duty Pressure Switch With Direct Action Blade Contacts 文件：127.45 Kbytes Page：2 Pages | Honeywell 霍尼韦尔 | | ||
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NE76084产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE76084
- 制造商
NEC
- 制造商全称
NEC
- 功能描述
C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SMT36 |
18229 |
RENESAS/瑞萨原装特价NE76084-T1-A即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
7202 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
NEC |
24+ |
VQFN |
7850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
NEC |
18+ |
原厂原装假一赔十 |
20000 |
原厂很远现货很近,找现货选星佑电子,原厂原装假一赔 |
|||
NEC |
01+ |
178 |
全新原装进口自己库存优势 |
||||
NEC |
16+ |
SMT86 |
1286 |
原装现货支持BOM配单服务 |
|||
NEC |
23+ |
SMT36 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
NEC |
十字架 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
NEC |
23+ |
3786 |
原厂原装正品 |
||||
NEC |
2016+ |
SMT36 |
7202 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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2012-11-18
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