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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
630

9A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. 2 Features ● Fast Switching ● Low ON Resistance(Rdso

WXDH

东海半导体

630A

Fast switching

Features • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability Application • DC Motor Control and Class D Amplifier • Uninterruptible Power Supply (UPS) • Automotive

GOFORD

谷峰半导体

630A

Fast switching

Features · Fast switching · 100 avalanche tested · Improved dv/dt capability Application · DC Motor Control and Class D Amplifier · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Automotive

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

630

Low Frequencies

文件：141.01 Kbytes Page：2 Pages

OSCILENT

630

COMPACT DIGITAL THERMOMETERS & THERMO-HYGROMETERS

文件：87.55 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

NE630N供应商更多...

更新时间：2025-10-30 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
630A-252
GOFORD/谷峰
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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中天科工半导体（深圳）有限公司
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深圳市富芯乐电子科技有限公司
630B1018-GV10
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上海金庆电子技术有限公司
630B006B1-31A
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艾睿（深圳）半导体有限公司
630A-251
GOFORD(谷峰)
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TO-251(I-PAK)
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NE630N芯片相关品牌

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    描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率（DDR）SDRAM内存总线。它显着减少元件数量，电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压（DDR参考总线电压）的一半，电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5（SOT756）包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器，没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化，降低输出电容器的需求。 特点

    2013-1-14

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    2012-11-18

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