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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NE630D

Single pole double throw (SPDT) switch

ETC

知名厂家

630

9A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. 2 Features ● Fast Switching ● Low ON Resistance(Rdso

WXDH

东海半导体

630A

Fast switching

Features • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability Application • DC Motor Control and Class D Amplifier • Uninterruptible Power Supply (UPS) • Automotive

GOFORD

谷峰半导体

630A

Fast switching

Features · Fast switching · 100 avalanche tested · Improved dv/dt capability Application · DC Motor Control and Class D Amplifier · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Automotive

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

630

Low Frequencies

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OSCILENT

630

COMPACT DIGITAL THERMOMETERS & THERMO-HYGROMETERS

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

NE630供应商更多...

更新时间：2025-10-30 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
NE630D
PHI
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NE630芯片相关品牌

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NE630数据表相关新闻

  • NE8FDP-B-TOP

    NE8FDP-B-TOP

    2024-6-28

  • NEO-F10N-00B

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    2013-3-7

  • NE57811-先进的DDR内存，关闭终端电源

    描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率（DDR）SDRAM内存总线。它显着减少元件数量，电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压（DDR参考总线电压）的一半，电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5（SOT756）包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器，没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化，降低输出电容器的需求。 特点

    2013-1-14

  • NE56631-30D-低有效的系统复位

    NE56631- XX是一个家庭的低有效，上电复位内提供±3％及超精密的阈值电压检测低工作电源电流通常为1.5毫安。几种检测阈值电压可在1.9 V，2.0 V，为2.7 V，2.8 V，2.9 V，3.0 V，3.1 V，4.2 V，4.3 V，4.4 V，4.5 V，4.6 V。根据要求提供其它阈值从100 mV的步长1.9 V至4.6 V。随着它的超低电源电流和高精密电压阈值NE56631- XX的检测能力，非常适合各种如复位逻辑电路和电池供电应用微处理器，电压检查和检测水平。 应用 •复位微处理器和逻辑电路 •电压

    2012-11-18

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