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Silicon Power LDMOS FET

FEATURES • High Output Power : Pout = 33.0 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm) • High power added efficiency : ηadd = 68 TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm) • High Linear gain : GL = 22.5 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin

RENESAS

瑞萨

Silicon Power LDMOS FET

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CEL

Silicon Power LDMOS FET

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CEL

更新时间:2025-12-31 14:58:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
21+
79A
10000
原装现货假一罚十
RENESAS
79A
185600
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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郑重承诺只做原装进口现货
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原厂渠道,现货配单
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SOP
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原盒原包装现货原装假一罚十价优
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
RENESAS/瑞萨
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60000
全新原装现货

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