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NE552R679A-T1A-A

封装/外壳:4-SMD,扁平引线 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

CEL

NE552R679A-T1A-A

FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG

CEL

SILICON POWER MOS FET

3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS DESCRIPTION The NE552R679A is an N-channel silicon power laterally diffused MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 3.0 V FRS (Family Radio Service). Dies are manufactured using ou

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3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS

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更新时间:2025-11-30 9:01:00
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    NE3512S02-T1C,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D

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    2019-3-22