型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NE552R479A-T1A

SILICON POWER MOS FET

3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 2.45 GHz 0.4 W TRANSMISSION AMPLIFIERS

RENESAS

瑞萨

NE552R479A-T1A

3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 2.45 GHz 0.4 W TRANSMISSION AMPLIFIERS

文件:605.16 Kbytes Page:7 Pages

CEL

SILICON POWER MOS FET

3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 2.45 GHz 0.4 W TRANSMISSION AMPLIFIERS

RENESAS

瑞萨

3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 2.45 GHz 0.4 W TRANSMISSION AMPLIFIERS

文件:605.16 Kbytes Page:7 Pages

CEL

NECs 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET

文件:495.06 Kbytes Page:9 Pages

CEL

3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 2.45 GHz 0.4 W TRANSMISSION AMPLIFIERS

文件:605.16 Kbytes Page:7 Pages

CEL

NE552R479A-T1A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE552R479A-T1A

  • 制造商

    CEL

  • 制造商全称

    CEL

  • 功能描述

    NECs 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET

更新时间:2025-10-10 19:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
UPC
24+
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
NEC
6
UPC
981
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS(瑞萨)/IDT
20+
-
1000
UPC
2450+
6540
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
FET
ROHS
13352
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
Sig
24+
DIP
3000
公司存货
CEL
22+
79A
9000
原厂渠道,现货配单
RENESAS
1923+
NA
7880
原盒原包装现货原装假一罚十价优
CEL
25+
4-SMD 扁平引线
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
NEC
2023+
UPC
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。

NE552R479A-T1A芯片相关品牌

NE552R479A-T1A数据表相关新闻

  • NE5532ADR

    NE5532ADR

    2023-4-14
  • NE5532DRG4 TI/德州仪器 21+ SOP8

    https://hfx03.114ic.com/

    2022-2-19
  • NE5532DR原装热卖库存

    型号: NE5532DR 制造商 Texas Instruments 制造商零件编号 NE5532DR 描述 IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 ?湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 详细描述 通用-放大

    2021-12-6
  • NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C

    NE3512S02-T1C,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D

    2019-12-17
  • NE3512S02-T1D

    NE3512S02-T1D,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-12-17
  • NE3512S02-T1D

    NE3512S02-T1D,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291,

    2019-3-22