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参考价格：￥30.8028

型号：NE5520379A-T1A-A 品牌：CEL 备注：这里有NE5520379A-T1A-A多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NE5520379A-T1A-A批发/采购报价，NE5520379A-T1A-A行情走势销售排行榜，NE5520379A-T1A-A报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
NE5520379A-T1A-A	NECs 3.2V, 3W, L/S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET DESCRIPTION NECs NE5520379A is an N-Channel silicon power MOSFET specially designed as the transmission power amplifier for 3.2 V GSM900 handsets. Die are manufactured using NECs NEWMOS technology (NECs 0.6 μm WSi gate lateral MOSFET) and housed in a surface mount package. This device can deliver	CEL	CEL
NE5520379A-T1A-A	封装/外壳：4-SMD，扁平引线包装：托盘描述：FET RF 15V 915MHZ 79A-PKG 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频	CEL	CEL
NE5520379A-T1	SILICON POWER MOS FET 3.2 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR GSM/DCS DUAL-BAND PHONE TRANSMISSION AMPLIFIERS DESCRIPTION The NE5520379A is an N-channel silicon power MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 3.2 V GSM 900 handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS technology	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE5520379A-T1A	SILICON POWER MOS FET 3.2 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR GSM/DCS DUAL-BAND PHONE TRANSMISSION AMPLIFIERS DESCRIPTION The NE5520379A is an N-channel silicon power MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 3.2 V GSM 900 handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS technology	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更新时间：2025-12-16 23:01:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	NE5520F	S	24+	NA/	51	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
上海意淼电子科技有限公司	NE5521D	PHI	23+	SSOP	6500	全新原装假一赔十	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	NE5520F	S	24+	DIP	80000	只做自己库存全新原装进口正品假一赔百可开13%增	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	NE5521D	恩XP	22+	SOP16	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市威雅利发展有限公司	NE5521D	PHI	97+	TSSOP16	474	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
君宇国际实业有限公司	NE5521D	PHI	05+		100	原装正品	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	NE5520379A-T1A-A	RENESAS(瑞萨)/IDT	20+	-	5000		询价
深圳市凯睿晟科技有限公司	NE5521D	恩XP	21+	SOP16	20000	百域芯优势实单必成可开13点增值税发票	询价
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	NE5521D	PHILIP	25+	TSOP	18000	原厂直接发货进口原装	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	NE5521	PHIL	NEW	TSOP	12300	代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订	询价

NE5532ADR
NE5532ADR
2023-4-14
NE5532DRG4 TI/德州仪器 21+ SOP8
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2022-2-19
NE5532DR原装热卖库存
型号： NE5532DR 制造商 Texas Instruments 制造商零件编号 NE5532DR 描述 IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 ?湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）详细描述通用-放大
2021-12-6
NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D
2019-12-17
NE3512S02-T1D
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2019-3-22