位置：首页 > IC中文资料第562页 > NE5511279A-T1
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE5511279A-T1 | SILICON POWER MOS FET 7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS | RENESAS 瑞萨 |   | |
NE5511279A-T1 | NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET 文件：99.77 Kbytes Page：3 Pages | NEC 瑞萨 | | |
SILICON POWER MOS FET 7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS | RENESAS 瑞萨 | | ||
NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET 文件：99.77 Kbytes Page：3 Pages | NEC 瑞萨 | | ||
封装/外壳：4-SMD，扁平引线 包装：托盘 描述：FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL | | ||
7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET 文件：296.22 Kbytes Page：4 Pages | CEL | | ||
7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET 文件：296.22 Kbytes Page：4 Pages | CEL | |
NE5511279A-T1产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE5511279A-T1
- 制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述
Trans RF MOSFET N-CH 20V 3A 4-Pin Case 79A T/R
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
7268 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
PHI |
2447 |
SOP8 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
CEL |
22+ |
79A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
SIG |
24+/25+ |
7160 |
原装正品现货库存价优 |
||||
CEL |
20+ |
原装 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
PHILIP |
20+ |
SOP-8 |
2960 |
诚信交易大量库存现货 |
|||
PHI |
0 |
SOIC/3.9mm |
3 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
|||
NEC |
24+ |
79A |
5825 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
24+ |
3000 |
公司存货 |
|||||
PHI |
24+ |
SOP-8 |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
NE5511279A-T1芯片相关品牌
NE5511279A-T1规格书下载地址
NE5511279A-T1参数引脚图相关
- p800
- p600
- otl功率放大器
- opa642
- opa2604
- op37
- op07中文资料
- op07
- OLED显示屏
- oled发光材料
- OLED材料
- ogs
- OEM
- nvidia
- ntc热敏电阻
- nrf24l01
- nfc芯片
- NFC
- ne555定时器
- ne555
- NE5533
- NE5532P
- NE5532N
- NE5532I
- NE5532D
- NE5532A
- NE5532
- NE5521N
- NE5521D
- NE5521
- NE5517N
- NE5517D-T
- NE5517DR2G
- NE5517DR2
- NE5517DG
- NE5517D
- NE5517ANG
- NE5517AN,602
- NE5517AN
- NE5517A
- NE5517
- NE5514N
- NE5514D
- NE5514
- NE5512N
- NE5512D
- NE5512
- NE5511279A-T1A-A
- NE5511279A-T1-A
- NE5511279A-T1A
- NE5511279A-A
- NE5511279A
- NE5510279A-T1-A
- NE5510279A-T1
- NE5510279A
- NE5510179A-T1
- NE5510179A
- NE5500479A-A
- NE5500479A
- NE5500234-T1-AZ
- NE5500234-AZ
- NE5500179A-T1-A
- NE5500179A-T1
- NE5500179A
- NE545B
- NE544N
- NE544D
- NE544
- NE542N
- NE542
- NE5410F
- NE5410
- NE540L
- NE540
- NE538N
- NE538FE
- NE538D
- NE538
- NE536
- NE532N
- NE532D
- NE532
- NE531N
- NE531FE
NE5511279A-T1数据表相关新闻
NE5532ADR
NE5532ADR
2023-4-14NE5532DRG4 TI/德州仪器 21+ SOP8
https://hfx03.114ic.com/
2022-2-19NE5532DR原装热卖库存
型号： NE5532DR 制造商 Texas Instruments 制造商零件编号 NE5532DR 描述 IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 ?湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限） 详细描述 通用-放大
2021-12-6NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，
2019-3-22
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106
- P107
