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NE5500434-T1-AZ | SILICON POWER MOS FET N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET POWER AMPLIFIER FOR GSM CLASS 4 HANDSETS DESCRIPTION The NE5500434 is an N-channel silicon power MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for GSM class 4 handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS technology (our 0.6 μm WSi gate lat | RENESAS 瑞萨 |   | |
SILICON POWER MOS FET N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET POWER AMPLIFIER FOR GSM CLASS 4 HANDSETS DESCRIPTION The NE5500434 is an N-channel silicon power MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for GSM class 4 handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS technology (our 0.6 μm WSi gate lat | RENESAS 瑞萨 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
1628+ |
CDIP16 |
820 |
代理品牌 |
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NEC |
24+ |
SOT-89 |
16100 |
新进库存/原装 |
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RENESAS/瑞萨 |
24+ |
SOT-89 |
60000 |
全新原装现货 |
|||
NEC |
24+ |
SOT-89 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
NEC |
24+ |
SMD |
60100 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
NEC |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
NEC |
23+ |
SOT-89 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
|||
NEC |
2025+ |
SOD-89 |
5000 |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
|||
NEC |
24+ |
SMD |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
NEC |
23+ |
SMD |
26103 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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2023-4-14NE5532DRG4 TI/德州仪器 21+ SOP8
https://hfx03.114ic.com/
2022-2-19NE5532DR原装热卖库存
型号： NE5532DR 制造商 Texas Instruments 制造商零件编号 NE5532DR 描述 IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 ?湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限） 详细描述 通用-放大
2021-12-6NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，
2019-3-22
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