位置：首页 > IC中文资料 > NE5500434-A
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE5500434-A | RF & Microwave device 文件：137.58 Kbytes Page：2 Pages | RENESAS 瑞萨 |   | |
SILICON POWER MOS FET N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET POWER AMPLIFIER FOR GSM CLASS 4 HANDSETS DESCRIPTION The NE5500434 is an N-channel silicon power MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for GSM class 4 handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS technology (our 0.6 μm WSi gate lat | RENESAS 瑞萨 | | ||
SILICON POWER MOS FET N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET POWER AMPLIFIER FOR GSM CLASS 4 HANDSETS DESCRIPTION The NE5500434 is an N-channel silicon power MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for GSM class 4 handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS technology (our 0.6 μm WSi gate lat | RENESAS 瑞萨 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
3355 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
NEC |
2016+ |
SMD |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
NEC |
24+ |
SMD |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
NEC |
25+ |
SMD |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
NEC |
22+ |
SOT-89 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
NEC |
23+ |
SOT-89 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
|||
NEC |
24+ |
SMD |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
NEC |
SOD-89 |
16000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
NEC |
24+ |
SMD |
25000 |
一级专营品牌全新原装热卖 |
|||
NEC |
05+PBF |
79A |
105 |
原装现货支持BOM配单服务 |
NE5500434-A芯片相关品牌
NE5500434-A规格书下载地址
NE5500434-A参数引脚图相关
- p800
- p600
- otl功率放大器
- opa642
- opa2604
- op37
- op07中文资料
- op07
- OLED显示屏
- oled发光材料
- OLED材料
- ogs
- OEM
- nvidia
- ntc热敏电阻
- nrf24l01
- nfc芯片
- NFC
- ne555定时器
- ne555
- NE5533
- NE5532P
- NE5532N
- NE5532I
- NE5532D
- NE5532A
- NE5532
- NE5521N
- NE5521D
- NE5521
- NE5517N
- NE5517D
- NE5517A
- NE5517
- NE5514N
- NE5514D
- NE5514
- NE5512N
- NE5512D
- NE5512
- NE5511279A-T1A-A
- NE5511279A-T1-A
- NE5511279A-T1A
- NE5511279A-T1
- NE5511279A-A
- NE5511279A
- NE5510279A-T1
- NE5510279A
- NE5510179A-T1
- NE5510179A
- NE5500479A-T1
- NE5500479A
- NE5500434-T1-AZ
- NE5500434-T1
- NE5500434-AZ
- NE5500434
- NE5500234-T1-AZ
- NE5500234-T1
- NE5500234-AZ
- NE5500234-A
- NE5500234
- NE5500179A-T1
- NE5500179A
- NE5500134-T1-AZ
- NE5500134-T1
- NE5500134-AZ
- NE5500134-A
- NE5500134
- NE55
- NE545B
- NE544N
- NE544D
- NE544
- NE542N
- NE542
- NE5410F
- NE5410
- NE540L
- NE540
- NE538N
- NE538FE
- NE538D
- NE538
- NE536
- NE532N
- NE532D
- NE532
- NE531N
- NE531FE
NE5500434-A数据表相关新闻
NE5532ADR
NE5532ADR
2023-4-14NE5532DRG4 TI/德州仪器 21+ SOP8
https://hfx03.114ic.com/
2022-2-19NE5532DR原装热卖库存
型号： NE5532DR 制造商 Texas Instruments 制造商零件编号 NE5532DR 描述 IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 ?湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限） 详细描述 通用-放大
2021-12-6NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，
2019-3-22
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106
- P107
