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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NE3516S02 | N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain 文件：152.78 Kbytes Page：10 Pages | RENESAS 瑞萨 |   | |
NE3516S02 | N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain 文件：333.21 Kbytes Page：9 Pages | CEL | | |
NE3516S02 | N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain | CEL | | |
N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain 文件：152.78 Kbytes Page：10 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
封装/外壳：4-SMD，扁平引线 包装：托盘 描述：IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL | | ||
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封装/外壳：4-SMD，扁平引线 包装：托盘 描述：IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL | | ||
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NE3516S02产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE3516S02
- 制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述
SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET, ROHS COMPLIANT - Product that comes on tape, but is not reeled
- 制造商
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
274 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
S03 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
NEC |
24+ |
SMT-86 |
3879 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
S03 |
2000 |
||||
NEC |
25+ |
5000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
||||
RENESAS |
TransJFET |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
RENESAS |
25+ |
SMT-86 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
NEC |
25+ |
SOT23 |
3755 |
原厂原装,价格优势 |
|||
RENESAS |
23+ |
2726 |
原厂原装正品 |
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NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291. NE3512S02-T1D
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，
2019-3-22
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