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NE3503M04-A价格
参考价格：￥6.4923
型号：NE3503M04-A 品牌：CEL 备注：这里有NE3503M04-A多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NE3503M04-A批发/采购报价，NE3503M04-A行情走势销售排行榜，NE3503M04-A报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE3503M04-A | NECs C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNER HJ-FET 文件：394.61 Kbytes Page：7 Pages | CEL |   | |
NE3503M04-A | 封装/外壳：SOT-343F 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 4V 12GHZ M04 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL | | |
NECs C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNER HJ-FET 文件：394.61 Kbytes Page：7 Pages | CEL | | ||
C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET 文件：206.76 Kbytes Page：11 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
NE3503M04-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE3503M04-A
- 功能描述
射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
更新时间：2026-3-1 16:49:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
25+23+ |
SOT-343 |
41706 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
NEC |
09+ |
SOT343 |
621 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
24+ |
3000 |
公司存货 |
|||||
原厂正品 |
23+ |
SOT-343 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
RENESAS |
24+ |
SOT343 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
NEC |
22+ |
SOT343 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
RENESAS |
24+ |
SOT343 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
16+ |
SOT343 |
1499 |
原装现货 |
|||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
NEC |
2022+ |
SOT-343 |
640 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
NE3503M04-A规格书下载地址
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2021-8-23NE3512S02-T1C-A
NE3512S02-T1C-A，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17NE3512
NE3512，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，
2019-3-22NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，
2019-3-22
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