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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NDSH50120C | 封装/外壳：TO-247-2 包装：卷带（TR） 描述：SIC DIODE GEN2.0 1200V TO 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NDSH50120C | 碳化硅（SiC）肖特基二极管 – EliteSiC 50A 1200V D3 TO-247-2L封装 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
丝印代码：DSH50120C；Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 50 A, 1200 V, D3, TO-247-2L Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 50 A, 1200 V, D3, TO-247-2L | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
CMOS 4-BIT 1 CHIP MICROCOMPUTER CMOS 4-bit 1 Chip Microcomputer | SONYSony Corporation 索尼 | | ||
50A, 1200V Hyperfast Diode 50A, 1200V Hyperfast Diode The RHRG50120 is a hyperfast diode with soft recovery characteristics (trr | INTERSIL | | ||
50A, 1200V Hyperfast Diode 50A, 1200V Hyperfast Diode The RHRU50120 (TA49100) are hyperfast diodes with soft recovery characteristics (tRR | INTERSIL | | ||
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32, 64 and 128 Channel CESoP Processors 文件：1.15798 Mbytes Page：95 Pages | ZARLINK Zarlink Semiconductor Inc | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-4-8
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