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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NDS8947 | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. Thes | FAIRCHILD 仙童半导体 |   | |
NDS8947 | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES ■ -30V, -4A, RDS(ON) = 65mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 100mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Surface mount Package. | CET 华瑞 | | ||
50V CERAMIC DISC 文件：14.98 Kbytes Page：1 Pages | NTE | | ||
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：239.92 Kbytes Page：5 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
4-channel audio amplifier (SE: 1 W to 25 W; BTL: 4 W to 50 W) 文件：200.39 Kbytes Page：24 Pages | PHILIPS 飞利浦 | |
NDS8947产品属性
- 类型
描述
- 型号
NDS8947
- 功能描述
MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SOP-8 |
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