Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. Thes

单 N 沟道，2.5V 指定，PowerTrench® MOSFET，20V，7.4A，22mΩ

此N沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 此类器件设计以使用极小的封装尺寸提供出色的功耗。 •7.4 A, 20 V\n•RDS(ON) = 0.022 Ω @ VGS = 4.5 V\n•RDS(ON) = 0.028 Ω @ VGS= 2.7 V。\n•快速开关速度\n•低栅极电荷（典型值11 nC）。\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•广泛使用的表面贴装封装中的高功率和高电流处理能力;

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.08625 Mbytes Page：9 Pages

T-1 Subminiature Lamps

T-1¾ Wire Lead T-1¾ Miniature Flanged T-1¾ Miniature Grooved T-1¾ Midget Screw T-1¾ Bi-Pin

T-1 3/4 Wire Terminal (standard)

T-1 3/4 Wire Terminal (standard)

Snap-acting Momentary Pushbutton Switches

文件：2.08001 Mbytes Page：17 Pages

Hi-fi stereo audio processor; I2C-bus

文件：285.71 Kbytes Page：24 Pages