| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NDD506BE | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 50mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
MECHANICAL CASE OUTLINE PACKAGE DIMENSIONS 文件：34.07 Kbytes Page：2 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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更新时间：2025-12-27 17:28:00
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