型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NCV8440STT1G

Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection

Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − Human Body Model 5000 V • Active Over−Voltage Gate to Drain Clamp • Scalable to Lower or Higher RDS(on) • Internal Series Gate Resistance • These are Pb−Free Devices Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • L

ONSEMI

安森美半导体

NCV8440STT1G

Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N?묬hannel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection

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ONSEMI

安森美半导体

NCV8440STT1G

Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N?묬hannel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection

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ONSEMI

安森美半导体

NCV8440STT1G

Protected Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NCV8440STT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NCV8440STT1G

  • 功能描述

    MOSFET N CH 2.6A 59V SOT-223-4

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
12000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ON/安森美
23+
SOT-223
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
ON/安森美
22+
SOT223
100000
代理渠道/只做原装/可含税
ON SEMI
23+
SOT-223
50
正规渠道,只有原装!
ON
24+
SOT-223(TO-261)4L
8866
三年内
1983
只做原装正品
ON/安森美
2447
SOT-223
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
ONSEMI/安森美
25+
SOT-223
20300
ONSEMI/安森美原装特价NCV8440STT1G即刻询购立享优惠#长期有货
ON SEMI
0937+
SOT-223
50
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
NK/南科功率
2025+
SOT-223
2500
国产南科平替供应大量

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