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NCV8440STT1G中文资料
NCV8440STT1G数据手册规格书PDF详情
Features
• Diode Clamp Between Gate and Source
• ESD Protection − Human Body Model 5000 V
• Active Over−Voltage Gate to Drain Clamp
• Scalable to Lower or Higher RDS(on)
• Internal Series Gate Resistance
• These are Pb−Free Devices
Benefits
• High Energy Capability for Inductive Loads
• Low Switching Noise Generation
Applications
• Automotive and Industrial Markets:
Solenoid Drivers, Lamp Drivers, Small Motor Drivers
• NCV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q100
Qualified and PPAP Capable
NCV8440STT1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NCV8440STT1G
- 功能描述
MOSFET N CH 2.6A 59V SOT-223-4
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT-223 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价NCV8440STT1G即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
SOT223 |
60000 |
全新原装现货 |
|||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
SOT-223 |
360000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ON/安森美 |
20+ |
SOT-223 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-223 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-223 |
2500 |
国产南科平替供应大量 |
|||
ON |
24+ |
SOT-223(TO-261)4L |
8866 |
||||
ON |
23+ |
SOT-223 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
24+ |
37200 |
原装现货/放心购买 |
|||||
ON/安森美 |
22+ |
SOT223 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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- 2925WM-SDSP/16
- 2925WM-SDSP/24
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ONSEMI相关芯片制造商
Datasheet数据表PDF页码索引
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